Nandflash芯片以其高性价比，大存储容量在电子产品中广泛应用。但是，在此量大质优的应用领域，很多客户却伤痛于批量质量问题：专用工具无法符合量产，量产工具却有可能经常出现很大的不良品率，那么到底要如何解决问题呢？其根本原因，在于目前大部分用户并不是很理解Nandflash封装的复杂性，他们经常使用很必要的方法，即用于一颗能长时间运营的NandFlash芯片作为母片，在相连编程器之后，页面封装软件上的“加载”按钮，把数据从芯片里面原始加载出来，然后再行去找几颗空芯片，把数据反复写进去。

本以为可超过量产的目的，但实质上生产出来的产品却约将近品质的拒绝，往往不会经常出现批量的产品出现异常开机或启动的状况！1原因分析原因到底在哪里呢，在分析之前，那就再行得理解一下Nandflash基本的工艺特性：首先，我们来看NandFlash存储结构，它由多个Block构成，每一个Block又由多个Page构成，每个Page又包括主区（MainArea）和可用区（SpareArea）两个域。其次NandFlash是有坏块的，由于NandFlash的工艺无法确保Nand的MemoryArray在其生命周期中维持性能的可信，因此在Nand的生产中及用于过程中不会产生坏块的。原因一：坏块的影响因为坏块影响了数据的存放在地址，用户就无法按常用方法那样，把母片的数据全部加载出来，然后再行把数据原原本本拷贝到其他芯片上了，也就产生了传统拷贝机无法量产Nandflash的问题！既然NandFlash有坏块是无法防止的问题，那就要想要办法避免那些坏块；最简单、最有效地、最常用的方法就是：跳过！用于“跳过坏块”，我们很好地解决了NandFlash的坏块问题，原本写出到坏块的数据，我们也安全性移往到下一个块里面！原因二：地址变化跳过是一种常用而有效地的方法，但是实质上，显然问题还仍然不存在，细心的人会找到，数据存放在的地址也再次发生了变化！实际应用于中，很多用户不会把多个文件数据同时存储到NandFlash上（比如uboot、uImage、Logo、rootfs等封装文件），并给每个文件在NandFlash存储单元中区分了一定大小的存储空间区域，登录了每个文件存储的接续物理地址块；如果某个区域经常出现了坏块，为了避免它，不致必须把数据安全往下一块移往，而引发的后果就是先前封装文件的接续物理地址也随着再次发生了位移，这将不会造成主控MCU无法通过相同的地址，精确、原始地提供到每个文件的数据，最后导致的结果就是产品出现异常启动。

2解决问题建议解决问题建议：分区封装分区封装，用户提早设置好每个文件封装的接续块地址，无论坏块经常出现在哪个空间区域，都可以保证每个文件接续块地址都会再次发生位移变化，数据也将根据客户预设方案存放在NandFlash存储区域内，主控MCU也能精确原始加载到每个文件的数据，那么产品就长时间跑起来了！3解决方案参照广州定远电子有限公司的P800系列编程器反对按分区封装（并可反对多种分区格式），可按照每个用户方案市场需求，设置每个文件的接续块地址和封装块长度，才可超过高效率封装，又可提升芯片封装良品率！同时，P800系列配备独立国家操作系统，还可符合工厂全脱机，一键批量的封装拒绝。

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